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首頁,大摩注冊,首頁帶調(diào)速電機的產(chǎn)品是比較常見的，如檔位可調(diào)的風(fēng)機，吸塵器等，這類型的產(chǎn)品由于其工作特性，常常會造成整個產(chǎn)品的電磁輻射超標(biāo)問題。本次分享的案例正是帶有調(diào)速電機的產(chǎn)品--洗脫一體機，希望借助此次整改案例，跟大家一起來探討下這類產(chǎn)品的EMI問題源頭以及整改方法。
上圖為該產(chǎn)品調(diào)速電機控制部分電路的架構(gòu)示意圖，主要通過PWM信號控制電機負(fù)極功率MOSFET管的通斷，調(diào)節(jié)控制板輸出的PWM信號的脈沖寬度的占空比的大小，實現(xiàn)對電機轉(zhuǎn)速的控制，PWM信號的開關(guān)頻率為10KHz。對調(diào)速電機類產(chǎn)品可能造成EMI的根源可分為以下幾點：
?、儆兴㈦姍C的拉弧現(xiàn)象：火花是換向器區(qū)域附近的空氣介質(zhì)電離，在空氣中形成帶電粒子，形成電磁干擾，此類干擾一般在測試頻譜全頻段都能測得到。
?、跮C諧振電路:調(diào)速電機的組成一般包括MOS管和電感，由于MOS管本身的寄生電容，導(dǎo)致MOS管在截止時與電機電感形成一個LC諧振電路，而PWM方波信號本身具有豐富的高次諧波頻譜，某些頻段極容易被LC諧振回路放大，進而產(chǎn)生較強的電磁輻射，下圖為MOS管的寄生電容示意圖：
關(guān)于②③點做了簡單的電路模擬，電源電壓12V，電機電感800uH,圖一圖二
驗證的是電路開斷瞬間的電壓變化，這里假設(shè)MOS管關(guān)斷時電容值為10pF,圖三模擬由PWM信號驅(qū)動下的電路電壓情況:
通過簡單的仿真電路可以看出，雖然電路電壓只有12V，但電機電感兩端電壓值在電路開斷瞬間的變化幅度比較大，而dv/dt越大，對EMI測試越不利。
PWM信號為方波信號，其陡峭的上升沿具有頻段很寬的高次諧波，容易通過信號回路或者耦合到其他線路產(chǎn)生對外輻射。
分析：測試數(shù)據(jù)如上圖所示，最高點超限值20dB，超標(biāo)數(shù)據(jù)在50MHz-200MHz呈現(xiàn)包絡(luò)形態(tài)，對照前面對噪聲源頭的4點分析，首先排除是電機拉弧造成的。接下來判斷是否是PWM信號造成的，可以先把負(fù)載電機斷開，斷開后測試數(shù)據(jù)如下：
由前后數(shù)據(jù)對比可以看出，噪聲源頭不在PWM信號上，那么，剩下的可能性是（1）電機啟停瞬間產(chǎn)生的瞬時高電壓和（2）電路的LC諧振現(xiàn)象。由于MOS管開斷瞬間，會同時存在反向電動勢和LC諧振現(xiàn)象，所以并不能很好對二者做區(qū)分，只好圍繞這部分電路做整改處理。
?、谠陔姍C正負(fù)極之間增加一個單向二極管，作為于開關(guān)電源中的續(xù)流二極管相似；
④適當(dāng)調(diào)整MOS管柵極電阻，通過延長開關(guān)閉合時間達到降低抑制EMI效果。
簡單的電路仿真電路如下圖，在電感兩端增加了一個二極管，反向電壓值由-191V變?yōu)?15V，有明顯改善。
在實際整改過程中，在電機端加二極管確實起到了很明顯的效果，但最終要達到如上圖一樣的測試數(shù)據(jù)，還需要結(jié)合其他整改手段，并不斷調(diào)整濾波參數(shù)，主要的整改方向前面都已提及，具體細(xì)節(jié)限于篇幅不再贅述。
電磁輻射EMI三要素包括：騷擾源，耦合路徑和敏感設(shè)備，本文主要圍繞調(diào)速電機的工作過程，分析造成此類產(chǎn)品EMI超標(biāo)的噪聲根源，借助實際整改案例，分享整改過程中的驗證思路以及噪聲抑制的方法，并結(jié)合簡單的電路仿真力求將問題論述得更加形象清楚，其中肯定也有思慮不足的地方，還請見諒。
